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    而且金属铝连接技术可是你intel转让的，跟东芝可没关系，东芝要做的，就是当一个老师，把华芯科技的技术人员教会该怎么使用。

    两家公司一拍即合，顺利达成意向。

    当然如果这么简单，华芯科技这五百万美元，花的可就有点冤枉了，成套的铝金属连接技术，只要花时间，总能得到解决。

    在王岸然的办公室，东芝的技术代表桥本龟太郎，鞠躬鞠的王岸然头晕。

    “岸然君，贵方要求的，与东芝公司成立合作研究机构，致力于半导体芯片加工中，金属铜物理气相沉积pdv的研究，已经得到公司的审批，东芝公司非常愿意跟华芯公司展开更深入的合作。”

    王岸然站起身来，跟桥本龟太郎热情的握了握手。

    这项合作可是花了华芯科技三十四条专利授权，加上1000万美金的技术服务费才达成的。

    价值人民币上亿，贵可能贵了点，不过王岸然认为有价值，这就已经足够了。

    于此同时，浸入式光刻与双工台的研究也开始进入日程，让王岸然苦恼的是，他找不到合适的技术带头人，所以一直无法推进。

    不过另一项与浸入式光刻齐名的finfet生产工艺，王岸然觉的大有可为。

    fin    field_effect    transistor    鳍式场效应晶体管，相比与mos晶体管而言，这是一款新型的晶体管模式。

    是有华人科学家胡正明教授提出，并建立了系统的数学模型。

    特点是工艺不变的情况下，可以在相同的面积内塞进更多的晶体管，而且漏电量和功耗同步大幅度降低。

    finfet技术在9102年已经相当成熟，他本是intel于2011年第一次推出，用于22纳米制造工艺上的第三代酷睿处理器上，随后大部分的半导体厂家开始加入到finfet工艺阵营当中。

    技术难度比起普通的mos有所提高，工艺上也增加了几十道光、蚀刻、清洗、填塞、气相沉积过程。

    对华芯科技而言，技术难点就是材料的物理气相沉积pdv技术，以及堆叠薄膜镀层保护和蚀刻技术。

    相比沉浸式光刻技术以及双工台技术的难度而言，finfet技术犹如小学生的作业题，在现有的技术条件下就可以完成。
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