第(1/3)页 枫火集团公司,阻变式存储器研发中心。 经过了大半年的持续研发,已经是地中海发型的冯高平带着团队,在江成的指导下吃透了徐伟大佬他们一行整出的专利,并且在此基础上研发实现了量产技术。 “江总,目前我们已经初步实现了两种存储芯片的研发,第一类是阻变式缓存,我们称之为hrram,读取速度达到了35gb/s,可以用于手机soc芯片,车规级芯片。” 冯高平拿着比小指指甲还小的小小芯片递给了江成看。 “第二类是阻变式内存,drram,这一块的制造工艺是90nm,但存储容量到了4gb,读取速度达20gb/s。” 江成拿了到手上,瞬间模拟进入了体内的超技术实验室。 “写入速度呢?” “顺序写入速度也有10gb/s,随机写入也达到了2gb/s以上。”冯高平声音非常地激动。 这还是他第一次研发出来这么强大的存储芯片。 比起当前的手机内存来说,读取快了10倍,写入快了20倍! 江成径自将这些芯片替换到了体内模拟实验室中的枫火手机,先是换了运行内存。 相关的接口协议同步拷贝到了芯片级系统之中。 “连续读写速度表现非常不错。”江成点点头,“不过,你们要再增设一个电源管理芯片,以防存储芯片因电流电压不稳被击穿。” 冯高平应了声,对江成的佩服得很,“我们在试验中也发现了可能会出现这个问题,已经在做适配的电源管理芯片了。” “做得好。”江成赞扬了一句,随后又问,“你是国科大毕业的吧?” “是,微电子科学专业的。”冯高平回答,“毕业四五年了。” “今天后,由你任存储器研发部经理,好好干。”江成轻拍了拍他的肩膀。 这一段时间的考察,冯高平表现确实是可圈可点。 至少看他那样子,就不像是刚毕业四五年的样子,至少是毕业十几年的模样。 冯高平有些激动,“感谢江总信任!” “继续研发完善,现在的制程我还是不太满意,希望达到45纳米,甚至是28纳米制程,另外这么大的芯片,要探索3d堆叠结构,把容量拓展到10gb,甚至是100gb以上。” 第(1/3)页